招商证券：AI服务器存储量价齐升，算生源地助学贷款申请书力需求推动HBM市场数倍增长

招商证券研讨指出，当时AI算力晋级带动服务器的CPU迭代并提高GPU需求，带动AI服务器存储容量和价值量较传统服务器数倍添加。练习型AI服务器中GPU承当大部分算力，算力要求推进了HBM等新式存储器超百亿美元新式商场，从而提高Bumping、TSV、CoWoS等先进封装工艺需求，并带来减薄、键合、模塑、测验等设备以及EMC、电镀液、PSPI等资料的增量需求。叠加国内自主可控需求继续添加，国内存储及HBM等催生的先进封装产业链开展空间巨大。

AI服务器CPU和GPU随算力需求而晋级，对存储器容量和价值量均有数倍拉动。传统服务器以CPU作为算力中心，跟着AI练习模型的算力要求不断提高，CPU的中心数、主频、线程数量均不断提高，但仅靠CPU现已无法满意算力需求，需求调配GPU进行多线程数据处理，干流练习型服务器一般调配8个GPU。AI服务器用到的首要存储器包含CPU内存、GPU显存和硬盘NAND等，存储器容量和价值量均较一般服务器有数倍提高：

1）DRAM：英伟达练习型AI服务器中的CPU DRAM容量高达2TB，别的单个GPU一般搭载80GB以上的HBM存储器，AI服务器HBM总容量估计超640G，总内存容量相较一般服务器有4-8倍的提高，仅CPU内存价值量估计有5倍的提高，GPU的HBM则为纯增量商场；别的，服务器内存也在不断迭代，现在一般的服务器均多配备DDR4，但最先进的AI服务器现已调配了DDR5或LPDDR5；

2）NAND：AI服务器的硬盘容量高达30TB，相较传统服务器提高2-4倍，别的传统服务器一起运用机械硬盘和固态硬盘，但AI服务器根本悉数运用SSD，全体价值量较一般服务器估计提高10倍左右。

HBM可以打破练习型AI服务器的GPU带宽极限，2024年增量空间估计超百亿美元。HBM即高带宽存储器，是依据2.5/3D封装技能的一种新式CPU/GPU内存芯片，将DRAM Die笔直堆叠，Die之间经过TSV的方法衔接。HBM可以以低功耗发生高带宽，因而广泛调配练习型AI服务器的GPU运用，练习型AI服务器对HBM需求的拉动首要体现在：1）AI服务器搭载GPU数量的提高：由一般服务器的2个提高至现在的8个；2）单个GPU搭载HBM Stack数量的提高：在HBM1计划中，单个GPU搭载4个HBM1，而在现在HBM2e或HBM3计划中，一般单个GPU调配6个HBM Stack；3）HBM堆叠的DRAM层数和容量增多：从HBM1到HBM3，单个DRAM Die密度从2Gb提高至16Gb，堆叠高度从4Hi提高至12Hi，单个HBM叠层容量从1GB提高至24GB。Trendforce估计2025年全球服务器出货量为1700万台，当时AI服务器浸透率大约缺乏2%，假定2024年AI服务器浸透率约4%，依照每个AI服务器搭载8个GPU、每个GPU搭载6个共80GB至100GB及以上的HBM Stack的计划测算，那么2024年AI服务器带来的HBM增量空间估计超百亿美元。

AI服务器的GPU选用2.5D+3D封装工艺，推进TSV、CoWoS等中心封装技能需求。HBM和GPU选用2.5D+3D封装工艺，依据Yole，2021年HBM和Si中介层封装商场规模算计约14亿美元，估计2027年增至35亿美元，其间HBM和硅中介层封装商场别离增至16.3和18.8亿美元。TSV即硅通孔技能，适应2.5D封装架构而发生，可以以最低的能耗供给极高的带宽和密度，是完成电路小型化、高密度、多功能化的首选解决计划。2.5D TSV技能现已广泛用于AI GPU基板上的HBM中，完成DRAM各层Die之间的衔接，以及HBM芯片和下方的金属凸块之间的衔接。CoWoS工艺用于将HBM和硅中介层、封装基板等进行全体封装，当时台积电处于领先地位，伴跟着谷歌TPU、英伟达GPU、AMD MI300等均导入生成式AI，台积电CoWoS需求自2022年以来翻倍添加，现在继续求过于供，展望2024年将现在CoWoS产能翻倍。

HBM多层堆叠结构提高工序过程，将带动封装设备和资料需求继续提高。

1）设备：HBM中很多添加前道工序，前道检、量测设备首要增量来自微凸点、TSV、硅中介层等工艺，别的HBM中添加的预键合晶圆级测验和KGSD有关的封装级测验也带动分选机、测验机、探针台等后道测验设备的数量和精度提高；HBM堆叠结构增多，要求晶圆厚度不断下降，从而提高减薄、键合等设备需求；HBM多层堆叠结构要求超薄晶圆和铜-铜混合键合工艺，添加了暂时键合/解键合以及混合键合设备需求，各层DRAM die的维护资料也十分要害，对注塑或压塑设备提出较高要求；别的，比如划片机、固晶机、回流焊机/回流炉等传统设备需求也均获益于HBM封装带来的工艺过程提高和工艺革新带来的价值量提高。

2）资料：HBM中芯片空隙选用GMC或LMC进行填充，GMC最首要原资料为球形硅微粉和球形氧化铝；HBM选用底部填充胶用于FC封装工艺，选用PSPI作为硅中介层中RDL的再钝化层；HBM中的Bumping、RDL、TSV等引进前道工艺，带来电镀液用量提高；别的，HBM也将提高电子粘合剂、封装基板、压敏胶带等其他资料需求。

出资主张。相较传统服务器，AI服务器的存储器容量和价值量均提高数倍，其间练习型AI服务器GPU对带宽要求明显提高，催生了HBM等新式存储器的增量需求。当时DRAM、NAND、HBM等比例均首要由海外原厂如三星、美光、SK海力士等占有，HBM的CoWoS封装工艺首要由台积电把握，但考虑到AI对整个存储产业链的拉动，叠加职业需求继续复苏、国产自主可控需求继续提高，国内存储及HBM等催生的先进封装产业链开展空间巨大。主张重视先进封装设备标的中科飞测、北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科、盛美上海、芯源微、精测电子、芯碁微装、文一科技、至正股份、新益昌、光力科技、德龙激光、赛腾股份、耐科配备、亚威股份、劲拓股份、迈为股份、奥特维、长川科技、华峰测控、金海通等；先进封装资料标的鼎龙股份、安集科技、雅克科技、强力新材、天承科技、华海诚科、联瑞新材、壹石通、飞凯资料、德邦科技、兴森科技、生益科技、深南电路、神工股份、上海新阳、华正新材、方邦股份、回天新材、国风新材等；先进封装标的长电科技、通富微电、华天科技、深科技、太极实业、甬矽电子等；存储芯片标的兆易立异、紫光国微、复旦微电、北京君正、聚辰股份、普冉股份、东芯股份、恒烁股份、上海贝岭等；存储模组及主控标的江波龙、佰维存储、朗科科技、德明利、国科微等；存储经销标的香农芯创、雅创电子等；存储及HBM配套标的国芯科技、澜起科技、创益通等。

危险提示：AI服务器浸透率提高不及预期、存储职业复苏不及预期、国产代替进程不及预期、研制发展不及预期的危险。